参数	值
产品	未分类
型号编码	TSM4944DCS RLG
说明	未分类   SOIC 5mm 5x4x1.5mm
起订量	5
最小包	5
现货	473 [库存更新时间：2024-05-10]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12.2 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	18 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	隔离式
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.3 W
典型接通延迟时间	17 ns
典型关断延迟时间	40 ns
漏源极电压Vds	2134 pF @ 15 V
晶体管材料	Si
宽度	4mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm
高度	1.50mm
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
每片芯片元件数目	2